Numéro de produit du fabricant:
TSM025NH04LCR RLG
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM025NH04LCR RLG-DG
Description:
40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Description détaillée:
N-Channel 40 V 26A (Ta), 100A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 8-PDFNU (5x6)
Inventaire:
4995 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12986902
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
TSM025NH04LCR RLG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
PerFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
26A (Ta), 100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
63.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4179 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
136W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-PDFNU (5x6)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
1801-TSM025NH04LCRRLGCT
1801-TSM025NH04LCRRLGTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SI7615BDN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 29A/104A PPAK
DMTH4014LFVWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
DMTH4001SPSQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
